RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
71
Intorno -145% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
29
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2384
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link