RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
71
Intorno -137% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
30
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
3234
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905402-174.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link