RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
71
Intorno -255% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
20
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
18.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
3162
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link