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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
71
Intorno -173% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
26
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2955
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
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