RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
71
Intorno -154% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
28
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2663
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link