RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
11.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
71
Intorno -51% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
47
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
11.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
1967
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link