RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
71
Intorno -103% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
35
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2852
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link