RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
57
71
Intorno -25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
57
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2233
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link