RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
35
Intorno -46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
24
Velocità di lettura, GB/s
13.7
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2312
2731
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link