RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2731
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KP223C-ELD 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link