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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
35
Intorno -25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
13.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
28
Velocità di lettura, GB/s
13.7
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2312
2663
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
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