RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Micron Technology 16G3200CL22 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.6
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14
13.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
14.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2663
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link