RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Micron Technology 16G3200CL22 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.6
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14
13.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
14.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2663
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link