RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
38
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.3
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2144
3260
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link