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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
9.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
8.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
35
Intorno -6% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
33
Velocità di lettura, GB/s
13.7
9.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2312
2286
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
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