RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
35
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2286
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link