Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Punteggio complessivo
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    35 left arrow 39
    Intorno 10% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.7 left arrow 7.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.6 left arrow 6.8
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 12800
    Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    35 left arrow 39
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.7 left arrow 7.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.6 left arrow 6.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2312 left arrow 1768
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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