Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Punteggio complessivo
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.7 left arrow 13.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.6 left arrow 9.1
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 35
    Intorno -25% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 12800
    Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    35 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.7 left arrow 13.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.6 left arrow 9.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2312 left arrow 1989
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