Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.7 left arrow 13.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.6 left arrow 9.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 35
    Wokół strony -25% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 12800
    Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    35 left arrow 28
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.7 left arrow 13.2
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.6 left arrow 9.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2312 left arrow 1989
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania