RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,109.3
11.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
60
Intorno -88% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
32
Velocità di lettura, GB/s
4,162.7
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,109.3
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
784
2849
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link