RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
39
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
31
Velocità di lettura, GB/s
14.7
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2322
2605
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Confronto tra le RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link