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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

总分
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

总分
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

差异 规格 评论

差异

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB 需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB 需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    31 left arrow 39
    左右 -26% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.6 left arrow 14.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.5 left arrow 9.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    39 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    14.7 left arrow 16.6
  • 写入速度，GB/s
    9.2 left arrow 12.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2322 left arrow 2605

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAM的比较

Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
内存RAM
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
内存RAM
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
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内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
内存RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
内存RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
内存RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
内存RAM