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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
39
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
14.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
35
Velocità di lettura, GB/s
14.7
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2322
2488
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Confronto tra le RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
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