RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
39
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
35
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2322
2488
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link