Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Puntuación global
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Puntuación global
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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 85
    En 66% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.1 left arrow 6.0
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.3 left arrow 10.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 8500
    En 2.51 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    29 left arrow 85
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.5 left arrow 11.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.1 left arrow 6.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1425 left arrow 1118
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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