RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Comparez
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Note globale
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
85
Autour de 66% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.1
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.3
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
85
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
11.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1425
1118
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaison des RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link