Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Gesamtnote
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Gesamtnote
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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    29 left arrow 85
    Rund um 66% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.1 left arrow 6.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.3 left arrow 10.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 8500
    Rund um 2.51 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    29 left arrow 85
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.5 left arrow 11.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.1 left arrow 6.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1425 left arrow 1118
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RAM 1
RAM 2

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