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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
27
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
6.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
17
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
22.0
Velocidad de escritura, GB/s
6.2
16.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1411
3704
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
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