Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Differenze

  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    14.1 left arrow 12.5
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    31 left arrow 33
    Intorno -6% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.6 left arrow 16.4
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    33 left arrow 31
  • Velocità di lettura, GB/s
    16.4 left arrow 16.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    14.1 left arrow 12.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    3214 left arrow 2605
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti