RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Confronto
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Punteggio complessivo
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
18.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
39
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.7
1,597.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
27
Velocità di lettura, GB/s
5,022.9
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,597.0
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
753
3418
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Confronto tra le RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link