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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Confronto
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Punteggio complessivo
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
39
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
1,597.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
30
Velocità di lettura, GB/s
5,022.9
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,597.0
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
753
3208
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Confronto tra le RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB Confronto tra le RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
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