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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Confronto
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Punteggio complessivo
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
16.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
39
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
1,597.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
32
Velocità di lettura, GB/s
5,022.9
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,597.0
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
753
3054
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Confronto tra le RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
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Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
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