RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Confronto
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Punteggio complessivo
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
63
Intorno -163% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
5.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
24
Velocità di lettura, GB/s
6.1
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
5.0
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1274
2946
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Confronto tra le RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link