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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Confronto
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Motivi da considerare
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
63
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.9
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
5.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
49
Velocità di lettura, GB/s
6.1
10.9
Velocità di scrittura, GB/s
5.0
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1274
2427
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Confronto tra le RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
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