RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Porównaj
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
63
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.9
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
5.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
49
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.0
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
2427
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link