RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Porównaj
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
63
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.9
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
5.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
49
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.0
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
2427
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link