RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Confronto
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
30
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
30
Velocità di lettura, GB/s
13.7
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2270
3773
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link