RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2270
3773
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link