RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Confronto
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Punteggio complessivo
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
51
Intorno -183% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.2
1,832.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
18
Velocità di lettura, GB/s
4,433.3
20.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,832.2
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
646
3814
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link