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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Confronto
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Punteggio complessivo
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Punteggio complessivo
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
38
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
10.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
30
Velocità di lettura, GB/s
16.7
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2753
3086
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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