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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Confronto
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Punteggio complessivo
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
38
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
10.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
36
Velocità di lettura, GB/s
16.7
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2753
2581
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
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