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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Confronto
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Punteggio complessivo
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Punteggio complessivo
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
39
Intorno 3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
10.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
39
Velocità di lettura, GB/s
16.7
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2753
3000
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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