PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Punteggio complessivo
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.7 left arrow 13.5
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    35 left arrow 38
    Intorno -9% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.3 left arrow 10.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 12800
    Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    38 left arrow 35
  • Velocità di lettura, GB/s
    16.7 left arrow 13.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    10.0 left arrow 10.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2753 left arrow 2155
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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