RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Confronto
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Punteggio complessivo
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
38
Intorno -111% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.2
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.2
10.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
18
Velocità di lettura, GB/s
16.7
20.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2753
3536
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/8GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link