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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
38
左右 -111% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
18
读取速度,GB/s
16.7
20.2
写入速度,GB/s
10.0
16.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3536
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
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