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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.3
2,066.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
4,577.1
12.2
写入速度,GB/s
2,066.5
9.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2382
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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