RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
49
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.3
2,066.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
12.2
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2382
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 9905295-037.A00LF 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link