RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
48
Около 38% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
8500
Около 3.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
48
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
6.8
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
25600
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3047
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link