RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
48
Около 38% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
8500
Около 3.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
48
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
6.8
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
25600
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3047
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link