RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
比较
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
总分
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
68
左右 -134% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
18.8
1,670.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
29
读取速度,GB/s
3,554.9
20.6
写入速度,GB/s
1,670.7
18.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
4112
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB RAM的比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link