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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
77
左右 66% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
77
读取速度,GB/s
14.2
13.6
写入速度,GB/s
10.0
6.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
1549
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
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A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
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