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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.9
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
77
读取速度,GB/s
3,405.2
13.6
写入速度,GB/s
2,622.0
6.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
1549
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
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