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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.9
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
77
读取速度,GB/s
3,405.2
13.6
写入速度,GB/s
2,622.0
6.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
1549
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
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