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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston KKN2NM-MIE 4GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
45
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
38
读取速度,GB/s
12.3
14.9
写入速度,GB/s
8.0
11.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2174
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
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Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
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